机器学习、高速网络和大内存在这个数据时代并

集成电路设计领域的“世界奥林匹克大会” ISSCC 一贯是全球半导体设计领域的一个盛会，根据官网最新的预告页面显示，ISSCC 2019的重头戏将不再聚焦摩尔定律和微处理器，而机器学习、高速网络和大内存则在这个数据时代并列称王。

三星和英特尔将详细介绍5G/LTE组合芯片；在快闪记忆体（NAND Flash）方面，东芝将展示一款1.33太比特芯片，西部数据公司将谈论一款有128个芯片层的处理器；在DRAM方面，海力士和三星会汇报DDR5和LPDDR5的情况，另外三星也将单独展示一款用于智能手机深度学习的加速器。

三星的深度学习加速器在0.5伏电压下的速度高达11.5TOPS，仅占据8nm处理器5.5mm2的面积，以双核设计封装了1,024个乘累加单元，性能与以往技术相比提升了10倍。东芝16nm的SoC适用于机器车，一个面积仅为94.52mm2的晶粒就囊括了10个处理器、4个DSP和8个加速器，能释放20.5 TOPS的速度，其图像识别满足ASIL-B的安全等级，控制处理器满足ASIL-D的安全等级。

今年的ISSCC没有关于5nm工艺SRAM芯片的论文发布，尽管有少量关于7nm高速网络集成芯片讨论，而过去的突破中也没有出现涉及旗舰CPU的论文。负责微处理器演示会议的一名组织者表示，他们并不认为这会是一个持续的趋势，但这表明了该行业在产品周期中的地位。

ISSCC邀请了IBM工程师来讲解目前世界上最强大的超级计算机Sierra，处理器演示会议上还将详解一篇有趣的论文，一款功率范围在37-238mW和睿频在80-365MHz的机器人控制器，这款控制器搭载英特尔22nm处理器，旨在与SOI晶片一较高下。

脸谱网AI研究部负责人将讲述如何利用卷积神经网络实现无监督学习，使机器像人类一样自主地从环境中学习。而内存计算作为AI加速的研究热点，清华大学的一款芯片在使用电阻式RAM时的二进制运算性能达到53.17 TOPS/W，而操作延迟只有14.6ns。

时间:2018-11-25 13:20  来源:    转发量:次