华为要进军光刻机？

据媒体7月21日报道称，华为技术有限公司已经悄悄的在招聘“光刻工程师”，这或许意味着华为可能打算自己研发芯片制造技术。

前不久有消息称，华为内部确实提出要坚定选择绝处逢生式的全产业链模式，进军更多业务板块谋求生存空间。

消息称，海思仍在扩张，暂不考虑缩减规模，不考虑“散是满天星”之类的市场传闻把人员散落到其他公司的动作，而是在积极寻找代工厂，打造设计制造一体的IDM(垂直整合制造工厂，芯片设计和芯片制造一体)。

业内人士表示，目前全球较先进的芯片制程工艺牢牢掌握在台积电、三星等少数公司手里。而中国大陆在先进芯片制程领域没有多少话语权。

因此，在如此重要的领域，必须做到自主可控，所以当下最重要的事情就是加速完成产业链整合及自主可控，争取早日赶上国际先进制程水平。

光刻机工作原理：光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。

光刻机工作原理

中国的光刻机发展起源于20世纪70年代，伴随着半导体行业研究的兴起，中国于1977年研发成功第一台光刻机，1978-1985年先后研制成功三台光刻机，当时中国的半导体产业虽然没有达到当时世界先进水平，但是差距并不大。

80年代底，由于中国信奉“造不如买”的发展理念，导致中国半导体行业停滞不前，直到2002年，国家开始重视光刻机的研发。

至今18年的时间里，中国在逐步缩小和国际光刻机巨头的差距，路漫漫其修远兮，上海微电子等光刻机企业的崛起，表明中国正在追赶的路上坚定不移、勇往无前。

目前全球光刻机被ASML、Canon和Nikon三家供应商包揽。ASML光刻机主要包括三大款：EUV、浸入式DUV、干式DUV。公司在中高端领域领先，在较高端领域垄断，是摘取光刻机皇冠上明珠的领先企业。其中较先进的EUV机台只有ASML提供，中低端设备ASML也占据大部分市场。

EUV光刻机是目前较先进的光刻机，采用EUV光源，使用的光波波长只有13.5nm，NA（数值孔径）为0.33，目前全球只有ASML能生产EUV光刻机，售价高达1.2亿美元。

ArF类光刻机市场ASML处于竞争优势，Nikon只提供少量干法设备供给，KrF与i-line设备则是与Nikon和Canon相互竞争。近几年光刻机市场需求呈上升趋势，ASML光刻设备数量市占率一直保持在60%以上。

EUV光刻机不需要多重曝光，一次就能曝出想要的精细图形，没有超纯水和晶圆接触，在产品生产周期、光学邻近效应矫正的复杂程度、工艺控制、良率等方面都有明显优势。

格芯首席技术官Gary Patton曾说：“如果在5nm的时候没有使用EUV光刻机，那么光刻的步骤将会超过100步”。

方正证券认为，随着中国大陆代工厂的不断扩建，未来对于国产光刻机的需求不断提升，而当前国内与国外顶尖光刻机制程仍存在较大差距，国产光刻机应从如下几个方面寻求突破：

1、产业分工：国内涉及相关光刻机零部件的企业形成产业分工，各取所长研发、提供相应的技术和零部件；2、科研投入：目前国内企业仍存有买办思维，光刻机作为人类智慧的结晶，高科技产物，科研投入必不可少；3、技术突破：汇集顶尖人才对于核心技术优先突破；4、人才积累：注重奖励机制。

目前来看，华为是否下定决心要自己搞芯片工厂，或者研发光刻机，是否愿意承受失败的巨大风险，才是关键。现在搞光刻机很难，但如果不搞，以后会一直很难。

毕竟求人不如求己，之前任正非布局芯片就是防止芯片方面被卡脖子，如今在芯片代工生产环节成了美国拿捏弱点，一不做二不休，干脆一整套全干得了，彻底摆脱芯片代工的限制。

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